Модуль памяти OCZ OCZ2T1066IO1G

Модуль памяти OCZ OCZ2T1066IO1G

Главные особенности модуля памяти OCZ OCZ2T1066IO1G

DDR2 1066 (PC2 8500) DIMM 240-контактный, 1×1 Гб, 2.3 В, CL 5

Технические свойства модуля памяти OCZ OCZ2T1066IO1G

Дополнительная информация: поддержка технологии Extended Voltage Protection
Форм-фактор: DIMM 240-контактный
Объем: 1 модуль 1 Гб
Тип памяти: DDR2
Тактовая частота: 1066 МГц
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Пропускная способность: 8500 Мб/с
CAS Latency (CL): 5
RAS to CAS Delay (tRCD): 5
Row Precharge Delay (tRP): 5
Activate to Precharge Delay (tRAS): 15
Напряжение питания: 2.3 В
Радиатор: есть

Аналогичные записи: Вы можете оставить комментарий, или ссылку на Ваш сайт.

Оставить комментарий

Вы должны быть авторизованы, чтобы разместить комментарий.