Модуль памяти Kingston KVR1333D3S9/1G

Модуль памяти Kingston KVR1333D3S9/1G

Главные особенности модуля памяти Kingston KVR1333D3S9/1G

Модуль памяти. DDR3 1333 SODIMM 204-контактный. 1×1 Гб. 1.5 В. CL 9.

Технические свойства модуля памяти Kingston KVR1333D3S9/1G

Форм-фактор: SODIMM 204-контактный
Объем: 1 модуль 1 Гб
Тип памяти: DDR3
Тактовая частота: 1333 МГц
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
CAS Latency (CL): 9
Напряжение питания: 1.5 В

Аналогичные записи: Вы можете оставить комментарий, или ссылку на Ваш сайт.

Оставить комментарий

Вы должны быть авторизованы, чтобы разместить комментарий.